近几年，随着电子技术的不断发展，人们对芯片要求的不断提升，对芯片的供电电压也要求越来越低，反激同步整流芯片一般都是采用电阻小的功率MOS管代替二极管实现整流，降低电压提高电源效率，反激同步整流控制芯片因其结构简单、成本低廉、在小功率领域得到广泛应用。
PN8306反激芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置13mΩ 40V Trench MOSFET适用于DCM和QR工作模式，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306反激同步整流芯片内置电压降极低的功率MOSFET具有高精度次级电流检测电路功能，以提高电流输出能力，通过RT脚外置电阻可以灵活设置Tonmin，提升转换效率并降低芯片温度，主要应用于5V电池充电器及适配器领域。
PN8307H反激同步整流芯片包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，内置11mΩ 60V Trench MOSFET，适用于3.6V-20V宽供电范围工作，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，PN8307H反激芯片内置电压降极低的功率MOSFET，具有自适应次级电流检测电路功能以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H反激同步整流控制芯片集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能，适用于QC3.0充电器及适配器及适配器。
PN8308H反激同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置10mΩ 80V Trench MOSFET，适用于CCM，DCM和QR工作模式，具有电流跟踪关断技术，能够精确地 检 测到内置功率MOSFET的漏源端压差，使得关断阈值为最佳关断值，以减小体二极管导通的时间，获得最佳的效率，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量，主要用于9V/12V输出适配器。
反激同步整流芯片解决了以往采用肖特基二极管对于低压大电流系统应用上二极管的损耗提高系统效率的瓶颈，反激同步整流控制芯片具有电流跟踪关断技术，反激芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功能，为了提高效率降低损耗，采用反激同步整流芯片同步整流技术已成为低电压、大电流电源模块的一种必然手段。
